Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur für Hochleistungs-Halbleiterbauelemente

EP1815511 Art B1 2. September 2015

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation, NORTHROP GRUMMAN CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1815511
Aktenzeichen: EP05815152
Anmeldetag: 26. Oktober 2005
Veröffentlichung: 2. September 2015
Erteilung: 2. September 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/66H01L29/735H01L21/82H01L21/762H01L21/8258// H01L21/84H01L27/06H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Northrop Grumman Systems Corporation
NORTHROP GRUMMAN CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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