Halbleiterschichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtstruktur
EP1816672
Art B1
11. November 2009
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1816672
- Aktenzeichen
- EP07001508
- Anmeldetag
- 24. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 11. November 2009
- Erteilung
- 11. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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