Staudacher, Wolfgang
Inhouse Siltronic AG
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84489 Burghausen
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Patente
125 gesamt| Patent | |||
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18.06.2025 · Siltronic AG
Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus einer Gasphase, umfassend das Messen einer Randgeometrie der Substratscheibe, die einem Rand der Substratscheibe in Abhängigkeit von Randpositionen einen Dickenkennwert zuweist; das Ablegen der Substratscheibe in eine Tasche eines Suszeptors einer Vorrichtung zum Abscheiden der epitaktischen Schicht, wobei die Tasche von einer Begrenzung mit kreisförmigem Umfang umgeben ist; das Erhitzen der Substratscheibe; und das Leiten von Prozessgas über die Substratscheibe; gekennzeichnet durch das Ablegen der Substratscheibe in die Tasche derart, dass ein Abstand, den die Substratscheibe zur Begrenzung der Tasche hat, an Randpositionen mit dem Dickenkennwert eines dickeren Rands kleiner ist, als an Randpositionen mit dem Dickenkennwert eines dünneren Rands. |
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23.04.2025 · Siltronic AG
Verfahren zum Gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Zusammenfassung
Verfahren zum gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben (34) von einem Werkstück (1) mittels einer Drahtsäge, umfassend einen Trennschleifvorgang, wobei ein Werkstück (1) senkrecht zu einer Längsachse (26) des Werkstücks gegen ein zwischen zwei Drahtführungsrollen (5, 6) gespanntes Drahtgatter (24) eines Sägedrahts (4), der in Längsrichtung des Sägedrahts bewegt wird, zugestellt wird, wobei ein Kühlschmiermittel dem Drahtgatter (24) zugeführt wird, und wobei zwischen Drahtabschnitten des Drahtgatters (24) Scheiben (34) entstehen, die an einer Leiste (2) befestigt sind und zwischen denen Trennspalte (22) bestehen, und das Herausziehen der Leiste (2) und der Scheiben (34) aus dem Drahtgatter (24), wobei während des Herausziehens der Leiste (2) und der Scheiben (34) das Besprühen der Trennspalte (22) mit einer Flüssigkeit (21) mittels einer Sprühvorrichtung, bis die Drahtabschnitte die Trennspalte (22) verlassen haben, wobei die Flüssigkeit (21) unter hohem Druck durch Düsen (14) zugeführt wird, die an Düsenleisten (16, 17) befestigt sind, die parallel zur Längsachse (26) des Werkstücks (1) oszillierend bewegt werden, wobei die Flüssigkeit (21) und mitgerissene Luft (35) die Scheiben (34) zeitweilig zum Schwingen anregen. |
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23.04.2025 · Siltronic AG
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, der mit Dotierstoff vom N-Typ Dotiert Ist, Gemäss der Cz-Methode
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Zusammenfassung
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25.12.2024 · Siltronic AG
Verfahren, Steuerungssystem und Anlage zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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11.12.2024 · Siltronic AG
Greifer zum Transportieren einer Stehend Angeordneten Halbleiterscheibe und Verfahren zum Reinigen der Halbleiterscheibe
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.07.2024 · Siltronic AG
Verfahren zur Abscheidung einer Spannungsrelaxierten Gradierten Pufferschicht aus Silizium-Germanium auf einer Oberfläche eines Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.06.2024 · Siltronic AG
Verfahren zum Testen der Widerstandsfähigkeit von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium gegen Thermisch Induzierte Versetzungen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.06.2024 · Siltronic AG
Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge Während eines Abtrennvorgangs
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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10.04.2024 · Siltronic AG
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.04.2024 · Siltronic AG
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Vertretene Patentanmelder
Die Patentanmelder, die Staudacher, Wolfgang in den erfassten Patenten am häufigsten vertritt.
| Anmelder | Anzahl Patente |
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| 1. Siltronic | 125 |
| 2. Intel | 1 |
| 3. imec | 1 |
Patente nach Jahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung: so viele Anmeldungen sind für das Jahr insgesamt zu erwarten.