Material zur Bildung eines Resistdeckfilms, Verfahren zur Resiststrukturbildung sowie Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP1821148 Art A3 29. Oktober 2008

Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1821148
Aktenzeichen
EP06010961
Anmeldetag
29. Mai 2006
Veröffentlichung
29. Oktober 2008
Rechtsraum
EP
IPC
G03F7/11G03F7/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Fujitsu Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Fujitsu

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