Material zur Bildung eines Resistdeckfilms, Verfahren zur Resiststrukturbildung sowie Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP1821148
Art A3
29. Oktober 2008
Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1821148
- Aktenzeichen
- EP06010961
- Anmeldetag
- 29. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 29. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/11G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fujitsu Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujitsu
Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.
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