Vertikaler Bipolartransistor

EP1825504 Art B1 28. März 2012

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1825504
Aktenzeichen: EP05825275
Anmeldetag: 12. Dezember 2005
Veröffentlichung: 28. März 2012
Erteilung: 28. März 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/331H01L29/732H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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