Seitengraben-Feldeffekttransistoren in Hableitermaterialien mit Weitem Bandabstand, Herstellungsverfahren dafür und Integrierte Schaltungen mit den Transistoren
Anmelder: Power Integrations, Inc., SS SC IP, LLC, Semisouth Laboratories, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1825522
- Aktenzeichen
- EP05852246
- Anmeldetag
- 30. November 2005
- Veröffentlichung
- 29. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/808H01L27/098H01L29/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Power Integrations, Inc.
SS SC IP, LLC
Semisouth Laboratories, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
Power Integrations ist ein US-amerikanisches Unternehmen für Halbleiterlösungen in der Leistungselektronik. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf elektrische Energietechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik und Schaltungstechnik. Anmeldungen laufen durchgehend seit dem Jahr 2000.
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