Nitrid-Halbleiter-Lichtemissionsbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP1829118
Art B1
29. Januar 2020
Anmelder: LG Innotek Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1829118
- Aktenzeichen
- EP05821242
- Anmeldetag
- 5. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2020
- Erteilung
- 29. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/32H01L33/14// H01L33/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG Innotek Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Innotek
Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.
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Fachgebiete
Vertreten von
Nargolwalla, Cyra
Paris, Frankreich
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