Verbindungsstruktur mit Hohlräumen im Dielektrikum
EP1837905
Art A3
31. Dezember 2008
Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1837905
- Aktenzeichen
- EP07112163
- Anmeldetag
- 21. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Plasseraud IP
Plasseraud IP · Paris
-
Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris