Vorrichtung zur Ionenimplantation bei hoher Temperatur und Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen unter Verwendung von Ionenimplantation bei hoher Temperatur

EP1860683 Art B1 24. April 2019

Anmelder: Cree, Inc., Cree Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1860683
Aktenzeichen
EP07108883
Anmeldetag
24. Mai 2007
Veröffentlichung
24. April 2019
Erteilung
24. April 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/67
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
Cree Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

1.232 Patente in unserer Datenbank

Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen