Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses auf Waferebene mit Waferdurchgängen zur Externen Gehäusekonnektivität und Entsprechende Struktur
EP1861870
Art A2
5. Dezember 2007
Anmelder: Skyworks Solutions, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1861870
- Aktenzeichen
- EP06737694
- Anmeldetag
- 9. März 2006
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Skyworks Solutions, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Skyworks Solutions, Inc.
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien, spezialisiert auf HF-Chips und Analog-Halbleiter für Mobilfunk- und Kommunikationstechnik. Zahlreiche Patente im Bereich Hochfrequenztechnik und drahtlose Kommunikation.
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