Transistoren mit Grossem Bandabstand mit Gate-Source-Feldplatten

EP1866968 Art B1 13. Mai 2020

Anmelder: Cree, Inc., Cree Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1866968
Aktenzeichen
EP06718166
Anmeldetag
11. Januar 2006
Veröffentlichung
13. Mai 2020
Erteilung
13. Mai 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L29/40H01L29/812H01L29/06H01L29/24H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
Cree Inc.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Brophy, David Timothy Dublin, Irland
893
Patente gesamt
32
Fachgebiete
25
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Medizintechnik & Gesundheit Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik
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