Dicke Halbisolierende oder Isolierende Epitaxial-Galliumnitridschicht und Diese Enthaltende Bauelemente

EP1869710 Art B1 5. August 2020

Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1869710
Aktenzeichen
EP06720460
Anmeldetag
8. Februar 2006
Veröffentlichung
5. August 2020
Erteilung
5. August 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L29/417H01L21/336H01L29/20H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
CREE, INC.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount London, Großbritannien
2.091
Patente gesamt
33
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung Elektronik & Schaltungstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik
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