Nitrid-Halbleiter-Led und Herstellungsverfahren dafür
EP1869715
Art B1
25. April 2012
Anmelder: LG Innotek Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1869715
- Aktenzeichen
- EP05858772
- Anmeldetag
- 6. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 25. April 2012
- Erteilung
- 25. April 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/32H01L33/12H01L33/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG Innotek Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Innotek
Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.
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Vertreten von
Bentz, Jean-Paul
Paris, Frankreich
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