Auf Gan Basierender Transistor mit Hoher Elektrodenmobilität und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP1872408 Art A2 2. Januar 2008

Anmelder: Lockheed Martin Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1872408
Aktenzeichen: EP06740683
Anmeldetag: 7. April 2006
Veröffentlichung: 2. Januar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L31/0328H01L31/072H01L31/0336H01L31/109H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lockheed Martin Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lockheed Martin

US-amerikanischer Luft- und Raumfahrt- sowie Rüstungskonzern mit Sitz in Maryland, tätig in Entwicklung von Kampfflugzeugen, Raketensystemen, Satelliten und Verteidigungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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