Leistungs-Halbleiterbauelement mit einer Randabschlussstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung
Anmelder: STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1873837
- Aktenzeichen
- EP06425448
- Anmeldetag
- 28. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 27. März 2013
- Erteilung
- 27. März 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/861H01L29/78H01L21/329H01L21/336// H01L29/417H01L29/08H01L21/20H01L21/324H01L29/739H01L29/872H01L29/732
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
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