Halbleiteranordnung mit hoher Durchbruchspannung und Verfahren zu deren Herstellung

EP1883116 Art B1 11. März 2020

Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC, AMI Semiconductor Belgium BVBA 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1883116
Aktenzeichen
EP06015574
Anmeldetag
26. Juli 2006
Veröffentlichung
11. März 2020
Erteilung
11. März 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/51H01L29/423H01L21/336H01L21/763H01L21/765// H01L29/06H01L29/49
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Semiconductor Components Industries, LLC
AMI Semiconductor Belgium BVBA
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Bird, Ariane Heverlee, Belgien
622
Patente gesamt
31
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung Optik & Fototechnik
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