Passivierung von auf Grossem Bandabstand Basierenden Halbleiterbauelementen mit Wasserstofffreien Gesputterten Nitriden

EP1897128 Art B1 20. November 2019

Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1897128
Aktenzeichen
EP06785888
Anmeldetag
28. Juni 2006
Veröffentlichung
20. November 2019
Erteilung
20. November 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/314H01L21/318H01L29/24
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
CREE, INC.
Land
🇺🇸 USA

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