Verfahren zum Herstellen eines Heteroübergangs-Bipolartransistors

EP1908114 Art B1 30. Dezember 2015

Anmelder: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, Soitec, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS), S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1908114
Aktenzeichen: EP06778883
Anmeldetag: 18. Juli 2006
Veröffentlichung: 30. Dezember 2015
Erteilung: 30. Dezember 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L21/331H01L29/201

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
Soitec
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

7.382 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von