Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung
EP1911097
Art B1
25. April 2018
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1911097
- Aktenzeichen
- EP05789338
- Anmeldetag
- 25. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 25. April 2018
- Erteilung
- 25. April 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/08H01L29/36H01L21/336H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse