Verkapselte Integrierte Schaltung mit Verbesserter Thermischer Ableitung

EP1913633 Art B1 14. November 2018

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1913633
Aktenzeichen
EP06788428
Anmeldetag
25. Juli 2006
Veröffentlichung
14. November 2018
Erteilung
14. November 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/28H01L23/367
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen