Pomper, Till
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Patente
285 gesamt| Patent | |||
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11.03.2026 · NXP B.V.
Steuerungsvorrichtung für eine Elektronische Sicherung und Verfahren zur Steuerung einer Elektronischen Sicherung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 06.10.2016
Erteilt am 11.03.2026
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
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09.04.2025 · NXP USA, Inc.
Halbleiter-Package mit Isolierender Trennwand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 06.02.2017
Erteilt am 09.04.2025
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
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19.03.2025 · NXP USA, Inc.
Siliziumabschirmung für Basisbandabschluss und Hf-Leistungssteigerung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.12.2018
Erteilt am 19.03.2025
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
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11.09.2024 · NXP USA, Inc.
Bidirektionale Leistungs-Mosfet-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.04.2018
Erteilt am 11.09.2024
Vertretung
Pomper, Till · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Zusammenfassung
A field effect device includes a semiconductor body separating a source and a drain, both source and drain coupled to the semiconductor body. An insulated control gate is located over the semiconductor body between the source and drain and configured to control a conductive channel extending between the source and drain. First and second doped regions such as highly-doped regions are adjacent to the source. The first or second doped region may be a cathode short region electrically coupled to the source. The cathode short region may be used in a bidirectional power MOSFET. |
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13.03.2024 · NXP USA, Inc.
Zum Schutz vor Elektrostatischer Entladung (esd) Geeignetes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.05.2017
Erteilt am 13.03.2024
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
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17.01.2024 · NXP USA, Inc.
Chirp-Linearitätsdetektor für Radar
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 27.02.2018
Erteilt am 17.01.2024
Vertretung
Schmütz, Christian Klaus Johannes · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
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13.12.2023 · NXP USA, Inc.
Verpacktes Halbleiterbauelement mit einem Leiterrahmen und Innen- und Aussenanschlüssen und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.05.2017
Erteilt am 13.12.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
A method of making a packaged integrated circuit device includes forming a lead frame with leads that have an inner portion and an outer portion, the inner portion of the lead is between a periphery of a die pad and extends to one end of openings around the die pad. The outer portion of the leads are separated along their length almost up to an opposite end of the openings. Leads in a first subset of the leads alternate with leads in a second subset of the leads. The inner portion of the first subset of the leads is bent. The die pad, the inner portion of the leads, and only a first portion of the openings adjacent the inner portion of the leads are encapsulated. A second portion of the openings and the output portions of the leads form a dam bar for the encapsulating material. |
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03.05.2023 · NXP USA, Inc.
Strom- und Spannungsregelungsverfahren zur Verbesserung der Elektromagnetischen Kompatibilitätsleistung
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 28.07.2017
Erteilt am 03.05.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
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03.05.2023 · NXP B.V.
Controller Area Network (can)-Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Can-Vorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 28.02.2019
Erteilt am 03.05.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
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05.04.2023 · NXP USA, Inc.
Halbleiterbauelement mit einem Bereich mit Erhöhtem Widerstand und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.12.2016
Erteilt am 05.04.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Pomper, Till · Toulouse
Zusammenfassung
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Vertretene Patentanmelder
Die Patentanmelder, die Pomper, Till in den erfassten Patenten am häufigsten vertritt.
| Anmelder | Anzahl Patente |
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| 1. NXP USA | 216 |
| 2. Freescale Semiconductor | 82 |
| 3. NXP Semiconductors | 64 |
| 4. BMW | 2 |
| 5. Nokia | 1 |
| 6. Nokia Technologies | 1 |
Patente nach Jahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung: so viele Anmeldungen sind für das Jahr insgesamt zu erwarten.