Geschichtete Halbleiterstruktur und Verfahren zu Ihrer Bildung und Leuchtbauelement
EP1922790
Art A1
21. Mai 2008
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD., COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1922790
- Aktenzeichen
- EP06782838
- Anmeldetag
- 14. August 2006
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/343H01L21/02H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD.
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
3.021 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Naylor, Matthew John
London, Großbritannien
1.221
Patente gesamt
34
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München