Verfahren zur Bildung von Sic-Mosfets mit Grosser Inversionsschichtmobilität

EP1938363 Art B1 25. Juni 2014

Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1938363
Aktenzeichen
EP06814442
Anmeldetag
12. September 2006
Veröffentlichung
25. Juni 2014
Erteilung
25. Juni 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
CREE, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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