Halbleiterdünnschicht und Herstellungsverfahren dafür

EP1939319 Art A1 2. Juli 2008

Anmelder: IDEMITSU KOSAN CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1939319
Aktenzeichen: EP06782427
Anmeldetag: 7. August 2006
Veröffentlichung: 2. Juli 2008
Rechtsraum: EP
IPC: C23C14/08C01G15/00H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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