Graben-Gate-Leistungs-Mosfet
Anmelder: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD., SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1947699
- Aktenzeichen
- EP05785935
- Anmeldetag
- 21. September 2005
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/10H01L21/336// H01L29/06H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
Shindengen Electric Manufacturing ist ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern und Stromversorgungskomponenten, unter anderem für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie elektrische Energietechnik, ergänzt durch Elektronik und Fahrzeugtechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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Fachgebiete
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