Herstellen eines Abgedeckten Substrats-Durchgangslochs unter Verwendung einer Temporären Kappenschicht
EP1949432
Art B1
18. Oktober 2017
Anmelder: Invensas Corporation, NXP B.V. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1949432
- Aktenzeichen
- EP06821309
- Anmeldetag
- 3. November 2006
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2017
- Erteilung
- 18. Oktober 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Invensas Corporation
NXP B.V. - Land
- 🇺🇸 USA
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Mathys & Squire
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Schouten, Marcus Maria
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van der Veer, Johannis Leendert
NoneEindhoven