Elektronische Anordnung mit einer Transistorstruktur mit einer Aktiven Region Neben einer Stressor-Schicht
EP1949434
Art B1
1. August 2018
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1949434
- Aktenzeichen
- EP06816682
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 1. August 2018
- Erteilung
- 1. August 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Wray, Antony John
NoneBasingstoke
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Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse