Halbleiterdünnfilm, Herstellungsverfahren dafür und Dünnfilmtransistor
EP1950177
Art A1
30. Juli 2008
Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1950177
- Aktenzeichen
- EP06832726
- Anmeldetag
- 16. November 2006
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01G15/00H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Idemitsu Kosan
Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).
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