Mems-Resonator, Herstellungsverfahren dafür und Mems-Oszillator
EP1966886
Art A2
10. September 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1966886
- Aktenzeichen
- EP06842591
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 10. September 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03H9/02H03H3/007
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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