Herstellungsverfahren einer Diode mit reduziertem Einschaltwiderstand

EP1975991 Art B1 22. Januar 2020

Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1975991
Aktenzeichen
EP08101385
Anmeldetag
7. Februar 2008
Veröffentlichung
22. Januar 2020
Erteilung
22. Januar 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/868H01L21/04H01L29/24H01L29/861H01L29/06// H01L23/31H01L23/29
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
CREE, INC.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Bankes, Stephen Charles Digby Brentford, Großbritannien
461
Patente gesamt
32
Fachgebiete
12
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Verfahrens- & Trenntechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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