Leiterrahmenbasiertes, Umgossenes Halbleitergehäuse mit Integrierten Durchgangsbohrungstechnologie-Wärmeverteilerstiften und Entsprechendes Herstellungsverfahren
EP2005470
Art B1
18. Dezember 2019
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2005470
- Aktenzeichen
- EP07758336
- Anmeldetag
- 12. März 2007
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2019
- Erteilung
- 18. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495H01L21/56H01L23/00H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse