Tiefgrabenisolation für Leistungshalbleiter

EP2006900 Art B1 18. November 2020

Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC, AMI Semiconductor Belgium BVBA 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2006900
Aktenzeichen
EP07010439
Anmeldetag
25. Mai 2007
Veröffentlichung
18. November 2020
Erteilung
18. November 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Semiconductor Components Industries, LLC
AMI Semiconductor Belgium BVBA
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Bird, William Edward Heverlee, Belgien
884
Patente gesamt
31
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Medizintechnik & Gesundheit Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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