Verfahren zur induktiven Messung eines Schichtwiderstandes einer in einen multikristallinen Halbleiterwafer eingebrachten Dotierungsschicht
EP2031650
Art A3
12. Oktober 2011
Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2031650
- Aktenzeichen
- EP08015105
- Anmeldetag
- 27. August 2008
- Veröffentlichung
- 12. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Fraunhofer-Gesellschaft
Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
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