Verfahren zum Herstellen eines Zinkoxid-Halbleiterkristalls
EP2045838
Art A1
8. April 2009
Anmelder: Fujikura, Ltd., Chiba University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2045838
- Aktenzeichen
- EP07767443
- Anmeldetag
- 22. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 8. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/363C23C14/08C23C14/46C30B23/02C30B29/16H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fujikura, Ltd.
Chiba University - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujikura
Fujikura ist ein japanischer Hersteller von Kabeln, optischen Fasern und elektronischen Komponenten mit Sitz in Tokio. Das 1885 gegründete Unternehmen beliefert unter anderem die Telekommunikations- und Automobilindustrie.
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Vertreten von
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Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris