Verfahren zur Herstellung eines Doppelgate-Transistors
EP2050140
Art B1
12. Mai 2010
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2050140
- Aktenzeichen
- EP07805282
- Anmeldetag
- 1. August 2007
- Veröffentlichung
- 12. Mai 2010
- Erteilung
- 12. Mai 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Murgitroyd & Company
Murgitroyd wurde 1975 in Glasgow als Einzelpraxis gegründet, ging 2001 an die Londoner Börse und zählt zu Europas am schnellsten wachsenden IP-Kanzleien, mit Standorten von Großbritannien und Irland bis München, Mailand, Helsinki und dem Silicon Valley.
28.026
Patente gesamt
8
Patentanwälte
4
Standorte