Verfahren zur Bildung eines Leitfähigen Films, Dünnfilmtransistor, Panel mit Dünnfilmtransistor und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmtransistors
EP2051287
Art A1
22. April 2009
Anmelder: Ulvac, Inc., Ulvac Materials Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2051287
- Aktenzeichen
- EP07792161
- Anmeldetag
- 8. August 2007
- Veröffentlichung
- 22. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285G02F1/1345H01L21/28H01L21/3205H01L21/336H01L21/768H01L23/52H01L29/786C23C14/18C23C14/34C23C14/58
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Ulvac, Inc.
Ulvac Materials Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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Kanzlei
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Mitscherlich wurde 1896 in Berlin gegründet und zog 1951 nach München, direkt in Nähe zu Europäischem Patentamt, DPMA, Bundespatentgericht und der Münchner UPC-Lokalkammer. Sie legt Wert auf Kontinuität und betreut manche Mandate seit Jahrzehnten.
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