Nitridhalbleiterstrukturen mit Zwischenschichtstrukturen und Verfahren zur Herstellung von Nitridhalbleiterstrukturen mit Zwischenschichtstrukturen

EP2064730 Art B1 12. Februar 2020

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2064730
Aktenzeichen
EP08742018
Anmeldetag
4. März 2008
Veröffentlichung
12. Februar 2020
Erteilung
12. Februar 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Cree, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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