Herstellung einer Diffusionsbarrierenkappe auf Kupfer, enthaltend Leitfähige Elemente

EP2089900 Art A1 19. August 2009

Anmelder: NXP B.V., STMicroelectronics (Crolles 2) SAS 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2089900
Aktenzeichen: EP07847430
Anmeldetag: 27. November 2007
Veröffentlichung: 19. August 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L21/321H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NXP B.V.
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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