Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit tiefer Schicht
EP2091083
Art A3
14. Oktober 2009
Anmelder: DENSO CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2091083
- Aktenzeichen
- EP09001454
- Anmeldetag
- 3. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 14. Oktober 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/04H01L29/10H01L29/06// H01L29/36H01L29/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DENSO CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Denso
Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.
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