Gehäusestruktur eines Verbundhalbleiterbauelements
EP2093811
Art B1
11. Januar 2017
Anmelder: Advanced Optoelectronic Technology Inc. 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2093811
- Aktenzeichen
- EP09153073
- Anmeldetag
- 18. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2017
- Erteilung
- 11. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0203H01L33/48H01L33/62
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Advanced Optoelectronic Technology Inc.
- Land
- 🇹🇼 Taiwan
Fachgebiete
Vertreten von
Huang, Chongguang
London, Großbritannien
133
Patente gesamt
27
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
CMS Cameron McKenna Nabarro Olswang LLP
CMS Cameron McKenna Nabarro Olswang LLP · London
-
Gray, John James
NoneGlasgow
-
Schultenkämper, Johannes
NoneMarbach