Selbstausgerichteter Stossionisations-Feldeffekttransistor

EP2095427 Art B1 21. Juli 2010

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2095427
Aktenzeichen
EP07849110
Anmeldetag
13. November 2007
Veröffentlichung
21. Juli 2010
Erteilung
21. Juli 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/739
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.918 Patente in unserer Datenbank

Kanzlei
Murgitroyd & Company

Murgitroyd wurde 1975 in Glasgow als Einzelpraxis gegründet, ging 2001 an die Londoner Börse und zählt zu Europas am schnellsten wachsenden IP-Kanzleien, mit Standorten von Großbritannien und Irland bis München, Mailand, Helsinki und dem Silicon Valley.

28.026
Patente gesamt
8
Patentanwälte
4
Standorte

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen