Integrierte Schaltung mit Strahlungsschutz

EP2097980 Art B1 8. Januar 2014

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2097980
Aktenzeichen: EP07822531
Anmeldetag: 13. November 2007
Veröffentlichung: 8. Januar 2014
Erteilung: 8. Januar 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H03K19/003

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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