Komplementäre Bipolar-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren

EP2100330 Art B1 7. März 2012

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, IHP GmbH Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für Innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2100330
Aktenzeichen: EP07847998
Anmeldetag: 7. Dezember 2007
Veröffentlichung: 7. März 2012
Erteilung: 7. März 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8228H01L21/8249H01L27/06H01L27/082

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für Innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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