Herstellungsverfahren für einen mit Bor Dotierten Diamantsinterkörper mit Zufriedenstellender Elektrischer Leitfähigkeit

EP2100863 Art B1 8. Juli 2015

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2100863
Aktenzeichen
EP07830622
Anmeldetag
26. Oktober 2007
Veröffentlichung
8. Juli 2015
Erteilung
8. Juli 2015
Rechtsraum
EP
IPC
C04B35/52C04B35/63C04B35/645
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Mitsubishi Materials Corporation
Land
🇯🇵 Japan

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe
Vertreten von
Struck, Norbert Düsseldorf, Deutschland
62
Patente gesamt
25
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Hochbau & Gebäudetechnik Medizintechnik & Gesundheit Maschinenelemente & Fluidtechnik
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