Verfahren zum Herstellen einer Nichtflüchtigen Speicheranordnung

EP2106618 Art B1 14. November 2018

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2106618
Aktenzeichen
EP08727500
Anmeldetag
10. Januar 2008
Veröffentlichung
14. November 2018
Erteilung
14. November 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L21/336H01L29/423H01L29/788
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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