Feldeffekttransistor mit einer Ti-Haftschicht unter der Gate-Elektrode
EP2107611
Art A1
7. Oktober 2009
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2107611
- Aktenzeichen
- EP09250294
- Anmeldetag
- 5. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 7. Oktober 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/20H01L29/778H01L29/47H01L21/285H01L21/335// H01L21/28H01L29/423H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Kanzlei
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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Granleese, Rhian Jane
Marks & Clerk LLP · London