Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Hochspannungstransistoren, nicht Flüchtigen Speichertransistoren und Logiktransistoren
EP2108189
Art B1
27. Juni 2018
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2108189
- Aktenzeichen
- EP08727504
- Anmeldetag
- 10. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 27. Juni 2018
- Erteilung
- 27. Juni 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L27/11546H01L27/11526H01L29/788H01L21/283
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pomper, Till
Toulouse, Frankreich
285
Patente gesamt
14
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse