Selektives Wachstum von Polykristallinem Siliziumhaltigen Halbleitermaterial auf Siliziumhaltiger Halbleiteroberfläche

EP2130214 Art B1 2. Januar 2013

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, IHP GmbH Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für Innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2130214
Aktenzeichen: EP08716881
Anmeldetag: 15. Februar 2008
Veröffentlichung: 2. Januar 2013
Erteilung: 2. Januar 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/20C23C16/02C23C16/04C23C16/24C23C16/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für Innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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