Integrierter Elektronischer Schaltkreis mit einem Dünnfilmteil auf Hafniumoxidbasis

EP2143134 Art B1 29. März 2017

Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.), Institut National Polytechnique de Grenoble, Centre National de La Recherche Scientifique-CNRS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2143134
Aktenzeichen
EP08805707
Anmeldetag
25. April 2008
Veröffentlichung
29. März 2017
Erteilung
29. März 2017
Rechtsraum
EP
IPC
G11B20/10H01L29/49G11B7/005H01L21/28H01L21/316H01L29/51
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Institut National Polytechnique de Grenoble
Centre National de La Recherche Scientifique-CNRS
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

13.083 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen