Integrationssubstrat mit Kondensator mit Ultrahoher Dichte und Substratdurchgang

EP2145351 Art A1 20. Januar 2010

Anmelder: IPDIA, NXP B.V. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2145351
Aktenzeichen: EP08751176
Anmeldetag: 8. Mai 2008
Veröffentlichung: 20. Januar 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/498H01L27/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IPDIA
NXP B.V.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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